TPDV640RG

TPDV640RG是ST意法半导体生产的一款大功率三端双向可控硅（TRIAC），采用TOP-3通孔封装。该器件设计用于高要求的交流开关与控制应用，其核心额定参数为600V断态电压与40A通态电流，提供了处理市电及驱动大功率负载的坚实基础。

作为ALTERNISTOR系列中的无缓冲器（Snubberless）型号，它集成了增强的动态特性，能够有效应对感性负载切换时产生的电压电流应力，从而简化外围电路设计。其宽松的栅极触发条件（V_GT最大1.5V， I_GT最大200mA）便于驱动，而高达350A/370A的浪涌电流承受能力和-40°C至125°C的宽工作结温范围，则确保了其在工业环境下的高可靠性与鲁棒性。

• 型号:TPDV640RG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOP3
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
• 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 40A TOP3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
• 电压 - 断态:600 V
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:40 A
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.5 V
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):350A，370A
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:200 mA
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:50 mA
• 配置:单路
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TOP-3
• 供应商器件封装:TOP3
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