TS861IDT技术参数详情：
TS861IDT是ST意法半导体生产的一款通用型、微功耗轨到轨输入/输出比较器，采用BiCMOS工艺和8-SOIC表面贴装封装。该器件在2.7V至10V的宽电源电压范围内工作，静态电流最大值仅为16A，实现了极低的功耗，非常适合电池供电应用。
其核心优势在于高精度与良好的抗干扰能力：输入失调电压最大值为15mV，输入偏置电流最大值为300pA，确保了精确的阈值比较；同时提供70dB的共模抑制比。器件具备轨到轨的输入与推挽式输出能力，传播延迟小于2s，工作温度范围为-40°C至85°C，为工业控制、便携设备及电源管理中的电压监测与信号比较任务提供了可靠的解决方案。
- 型号:TS861IDT
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 线性 > 比较器
- 描述:IC COMPARATOR 1 GEN PUR 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 类型:标准（通用）
- 元件数:1
- 输出类型:推挽式
- 电压 - 供电，单/双(±):2.7V ~ 10V
- 电压 - 输入补偿（最大值）:15mV @ 5V
- 电流 - 输入偏置（最大值）:300pA @ 5V
- 电流 - 输出（典型值）:-
- 电流 - 静态（最大值）:16A
- CMRR，PSRR（典型值）:70dB CMRR
- 传播延迟（最大值）:2s
- 滞后:-
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 等级:-
- 资质:-
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
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