ULN2069B技术参数详情：
ULN2069B是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列，采用16引脚PowerDIP封装。该器件集成了输入电阻和续流箝位二极管，专为简化接口电路、直接驱动高电流或高电压负载而设计。
其核心参数表现强劲，每个通道可支持高达1.75A的持续集电极电流和80V的集电极-发射极击穿电压，饱和压降低至1.5V @ 1.5A，确保了高效的功率切换能力。宽泛的工作温度范围（-20°C ~ 85°C）使其能适应苛刻的工业环境。
这款芯片通过与标准逻辑电平（CMOS/TTL）直接兼容，显著降低了微控制器或数字逻辑电路驱动继电器、电机、螺线管及指示灯等感性或阻性负载的设计复杂度与元件数量，是高可靠性多路开关驱动应用的理想解决方案。
- 型号:ULN2069B
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:16-PowerDIP（20x7.10）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:4 NPN 达林顿（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.75A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 2.25mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
- 功率 - 最大值:1W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:16-PowerDIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:16-PowerDIP（20x7.10）
- 现在可以订购ULN2069B，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
