VND10B-11-E技术参数详情：
VND10B-11-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关，采用5-PENTAWATT通孔封装。该器件集成了一个导通电阻典型值低至100毫欧的N沟道MOSFET，支持6V至26V的宽负载电压范围，并能提供高达3.4A的输出电流驱动能力。
其核心优势在于高度的集成化与内置保护机制。器件通过简单的开/关逻辑接口控制，并集成了开路负载检测和超温关断故障保护功能，同时提供状态标志输出用于系统诊断。这些特性使其能够安全、可靠地驱动各类负载，尤其适合工作在环境温度范围宽（-40°C至150°C TJ）、对可靠性要求严苛的应用场景。
- 型号:VND10B-11-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:5-PENTAWATT
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:6V ~ 26V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:3.4A
- 导通电阻（典型值）:100 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:状态标志
- 故障保护:开路负载检测，超温
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:5-PENTAWATT
- 封装/外壳:Pentawatt-5（水平，弯曲和错列引线）
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