VND5E012MYTR-E技术参数详情:
VND5E012MYTR-E是ST意法半导体推出的一款AEC-Q100认证的汽车级双通道高端智能功率开关,属于VIPOWER产品系列。该器件采用PowerSSO-36封装,集成了两个独立的N通道功率MOSFET,每个通道可提供高达52A的输出电流,其典型导通电阻仅为11毫欧,能有效降低功率损耗。
它设计用于4.5V至28V的宽负载电压范围,工作结温可达150°C,具备非反相开/关接口,无需独立供电。芯片集成了全面的保护功能,包括固定限流、过温关断和过压保护,并带有自动重启特性,确保在过载或故障条件下的系统安全与自恢复能力,主要面向汽车车身控制模块及工业驱动应用。
- 型号:VND5E012MYTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSSO-36 EPD
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
- 描述:IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 PWRSSO36
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1:1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:4.5V ~ 28V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出(最大值):52A
- 导通电阻(典型值):11 毫欧
- 输入类型:非反相
- 特性:带有自动重启功能
- 故障保护:限流(固定),超温,过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerSSO-36 EPD
- 封装/外壳:36-PowerBFSOP(0.295\\
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