VND5E025ASTR-E技术参数详情：
VND5E025ASTR-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关，隶属于VIPower产品系列。该器件采用16-SO封装，集成了两个独立的N沟道功率MOSFET，每通道具备高达43A的输出电流能力和仅25毫欧的典型导通电阻，可在4.5V至28V的宽电压范围内高效工作。
其核心优势在于高度的集成化与全面的内置保护功能。器件通过简单的开/关逻辑接口直接由微控制器驱动，无需外部驱动电路。同时，它集成了限流、开路负载检测、过温关断和过压保护等多重故障保护机制，并具备自动重启功能，极大地提升了系统在过载、短路等异常情况下的可靠性与自恢复能力。
- 型号:VND5E025ASTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:16-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:4.5V ~ 28V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:43A
- 导通电阻（典型值）:25 毫欧
- 输入类型:非反相
- 特性:带有自动重启功能
- 故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:16-SO
- 封装/外壳:16-SOIC（0.295\\
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