VND600P-E技术参数详情：
VND600P-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关，采用16-SO封装。该器件集成了两个N通道功率MOSFET，每通道可提供高达25A的持续输出电流，导通电阻典型值仅为35毫欧，能显著降低导通损耗。
其核心优势在于无需外部Vcc供电，通过简单的开/关逻辑接口即可直接控制5.5V至36V范围内的负载。器件内置了全面的故障保护功能，包括固定限流、过温关断和过压保护，并具备自动重启特性，确保了系统在过载或异常条件下的安全性与自恢复能力。其宽工作温度范围（-40°C至150°C TJ）使其能够满足汽车电子及工业应用对可靠性的严苛要求。
- 型号:VND600P-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:16-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:5.5V ~ 36V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:25A
- 导通电阻（典型值）:35 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:带有自动重启功能
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:16-SO
- 封装/外壳:16-SOIC（0.295\\
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