VNH9013YTR技术参数详情：
VNH9013YTR是ST意法半导体生产的一款汽车级（AEC-Q100）全/半桥电机驱动器IC，采用PowerSSO-36封装。该器件集成了双路半桥，每通道可提供高达40A的连续输出电流，并支持80V的工作电压，具备强大的功率驱动能力。
其核心优势在于极低的功率损耗，高边和低边MOSFET的导通电阻典型值分别仅为6毫欧和7.8毫欧，显著提升了系统效率。该芯片设计坚固，最高结温达175°C，适用于汽车及工业环境中驱动直流电机等感性负载，是一款高集成度、高可靠性的功率驱动解决方案。
- 型号:VNH9013YTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSSO-36 TP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:4 N 沟道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:80V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 6A，10V，6 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40nC @ 10V，45nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1750pF @ 25V，2600pF @ 25V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:36-PowerBFSOP（0.295，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装:PowerSSO-36 TP
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