VNQ660SPTR-E技术参数详情：
VNQ660SPTR-E是ST意法半导体推出的一款四通道高端智能功率开关，属于VIPower产品系列。该器件集成了四个独立的N沟道功率MOSFET及其驱动保护电路，采用高端输出配置，可直接控制6V至36V电压范围内的负载，单通道持续输出电流能力高达6A。
其核心优势在于高集成度与高可靠性。极低的40毫欧典型导通电阻确保了高效的功率传输和低热损耗。器件内置了全面的故障保护功能，包括固定限流、开路负载检测、过温保护和过压保护，并提供了状态标志输出用于系统诊断。简单的开/关非反相逻辑接口使其易于与微处理器连接，无需外部VCC供电的设计进一步简化了应用电路。
- 型号:VNQ660SPTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:4
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:高端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:6V ~ 36V
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:6A
- 导通电阻（典型值）:40 毫欧
- 输入类型:非反相
- 特性:状态标志
- 故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:10-PowerSO
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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