VNS1NV04D-E技术参数详情：
VNS1NV04D-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款双通道智能功率开关，采用先进的VIPower技术单片集成。该器件集成了功率N沟道MOSFET和驱动保护电路，提供两个独立的低端开关通道，每个通道支持高达1.7A的连续输出电流，并具备仅250毫欧（典型值）的低导通电阻，确保高效的功率切换。
其设计无需外部Vcc供电，通过简单的开/关逻辑接口即可控制。器件内置了全面的故障保护功能，包括固定限流、过温关断和过压保护，能够承受高达36V的负载电压，工作结温范围为-40°C至150°C。采用8-SO表面贴装封装，适用于需要高可靠性负载驱动的汽车、工业及家电应用。
- 型号:VNS1NV04D-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:1.7A
- 导通电阻（典型值）:250 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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