2N2369A技术参数详情：
2N2369A是ST意法半导体生产的一款NPN硅双极性晶体管，采用TO-18金属罐封装。其核心参数针对低压、小功率的高频应用进行了优化，集电极-发射极击穿电压为15V，最大集电极电流为200mA，最大功耗为360mW。
该器件的关键性能亮点在于其高达675MHz的跃迁频率，使其能够胜任甚高频段的放大与振荡任务。同时，其集电极-发射极饱和压降较低，在特定测试条件下最大仅为500mV，有利于提升开关应用的效率。器件支持-65°C至200°C的宽结温范围，确保了在恶劣环境下的稳定工作能力。
- 型号:2N2369A
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-18
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 15V 0.2A TO-18
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200 mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:15 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 10mA，1V
- 功率 - 最大值:360 mW
- 频率 - 跃迁:675MHz
- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐
- 供应商器件封装:TO-18
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