STW27NM60ND技术参数详情：
STW27NM60ND是ST意法半导体基于FDmesh II技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和21A的连续漏极电流（Id）处理能力，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为160毫欧（@10.5A, 10V），有助于显著降低导通损耗。
作为符合AEC-Q101标准的汽车级（Automotive）产品，它具备150°C的最大结温（TJ）和160W的功率耗散能力，设计旨在满足高可靠性应用对热管理和长期稳定性的严苛要求。这些参数使其成为高压、高效率功率转换设计的理想选择。
- 型号:STW27NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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