2N6059技术参数详情：
2N6059是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-3金属封装，专为高电流、高电压应用而设计。其核心优势在于高达12A的集电极电流和100V的集电极-发射极击穿电压能力，结合极低的饱和压降，能够高效处理大功率负载。
该器件在6A电流下提供不低于750的直流电流增益，显著降低了对驱动电路的要求。最大功耗150W和高达200°C的结温工作范围，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域的功率开关与放大电路。
- 型号:2N6059
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 120mA，12A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:750 @ 6A，3V
- 功率 - 最大值:150 W
- 频率 - 跃迁:4MHz
- 工作温度:200°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装:TO-3
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