STLD125N4F6AG

STLD125N4F6AG是ST意法半导体STripFET F6系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件额定值为40V漏源电压和120A连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS和75A条件下典型值仅为3毫欧，能显著降低功率损耗。

此外，该MOSFET具备低至91nC的栅极电荷和优化的开关特性，支持高效率的高频开关操作。其采用双面散热的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，结温范围达-55°C至175°C，确保了在紧凑空间内出色的热管理和高可靠性，适用于要求严苛的功率转换和电机控制应用。

• 型号:STLD125N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）双面
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）双面
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
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