2N6668

2N6668是ST意法半导体推出的一款PNP达林顿功率晶体管，采用TO-220封装。其核心电气参数定义了其在功率控制领域的适用性：高达10A的集电极电流（Ic）与80V的集射极击穿电压（V_CEO）使其能够处理可观的功率；而最小1000倍的直流电流增益（hFE）则意味着它仅需极小的基极驱动电流即可实现对大负载的完全控制。

该器件最大功耗为65W，结合通孔封装易于散热的设计，适合用于中功率开关及线性放大电路。其3V的饱和压降（V_CE(sat)）和150°C的最高工作结温，确保了在持续大电流工况下的稳定运行。这些特性使其成为电机驱动、电源调整以及大功率负载开关等应用的经典解决方案。

• 型号:2N6668
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 100mA，10A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 5A，3V
• 功率 - 最大值:65 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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