STFI7N80K5技术参数详情：
STFI7N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和6A连续漏极电流（Id），采用I2PAKFP通孔封装，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了高耐压与低导通特性的结合，在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，有助于提升系统效率。优化的栅极电荷和输入电容参数，则有利于实现更快的开关速度和降低驱动损耗。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在多样化环境条件下的稳定性和可靠性。
- 型号:STFI7N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAKFP（TO-281）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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