2SD2012技术参数详情：
2SD2012是ST意法半导体生产的一款NPN型功率双极性晶体管，采用TO-220F通孔封装。其核心电气参数包括60V的集射极击穿电压和3A的最大集电极电流，能够胜任中等功率水平的开关与放大任务。
该器件在性能上注重效率与可靠性，其Vce饱和压降在2A电流下仅为1V，有助于降低导通损耗。同时，它提供最小值为100的直流电流增益（@500mA, 5V），并支持最高25W的功耗和150°C的结温，确保了在苛刻工况下的稳定运行。其3MHz的过渡频率使其适用于中低频应用。
- 型号:2SD2012
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 60V 3A TO-220F
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:60 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100A（ICBO）
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 500mA，5V
- 功率 - 最大值:25 W
- 频率 - 跃迁:3MHz
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220F
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