STP3NB100技术参数详情：
STP3NB100是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件的核心卖点在于其1000V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及3A的连续漏极电流（Id）处理能力，专为高压开关应用而设计。
其技术参数经过优化，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为6欧姆，同时栅极电荷（Qg）低至30nC，这有效降低了导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效。器件支持高达150°C的结温工作，并具备100W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STP3NB100
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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