2ST501T技术参数详情：
2ST501T是ST意法半导体推出的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-220-3通孔封装。该器件核心优势在于其高压与大电流处理能力，集电极-发射极击穿电压高达350V，连续集电极电流可达4A，最大功耗为100W，适用于存在高电压应力的功率开关场景。
其达林顿结构提供了极高的电流放大倍数，直流电流增益（hFE）在2A/2V条件下最小值达2000，仅需微小基极电流即可控制大负载，极大简化了驱动电路设计。同时，较低的饱和压降（1.5V @ 2A）有助于减少导通损耗。这些特性使其成为电机驱动、电源转换和工业控制系统中高效、可靠的功率开关或放大元件。
- 型号:2ST501T
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:350 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 2mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:2000 @ 2A，2V
- 功率 - 最大值:100 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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