STW38NB20技术参数详情：
STW38NB20是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能PowerMESH系列。该器件核心参数包括200V的漏源电压（Vdss）和38A的连续漏极电流（Tc=25°C），能够满足中等功率等级的应用需求。
其关键电气特性表现为优异的导通性能与开关性能的平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至65毫欧（@19A），有助于减少通态损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为95nC（@10V），有利于实现高效的开关操作并降低驱动电路负担。器件支持高达150°C的结温工作，并采用通孔安装，散热性能可靠。
- 型号:STW38NB20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW38NB20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
