A1C15S12M3-F技术参数详情：
A1C15S12M3-F是ST意法半导体基于ACEPACK 1封装的三相IGBT逆变器模块，集成了制动单元和NTC热敏电阻。该模块采用1200V/15A的沟槽型场截止IGBT技术，在15V栅极驱动下饱和压降仅为2.45V，实现了低导通损耗与高效率的平衡。
其高度集成的三相全桥加制动斩波器配置，简化了外围电路设计，特别适用于紧凑型电机驱动系统。宽广的-40°C至150°C结温工作范围与内置温度监测功能，共同保障了其在工业变频、伺服驱动等应用中的高可靠性与稳定性。
- 型号:A1C15S12M3-F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 1
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 15A ACEPACK 1
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器，带制动器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
- 功率 - 最大值:142.8 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，15A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):985 pF @ 25 V
- 输入:三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 1
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