A1C15S12M3技术参数详情：
A1C15S12M3是ST意法半导体生产的一款采用ACEPACK 1封装的IGBT模块。该模块集成了一个完整的三相反相器桥臂与制动斩波器，基于1200V耐压、15A电流的沟槽型场截止IGBT技术构建，最大功耗为142.8W。其核心优势在于高集成度与低损耗，饱和压降典型值仅为2.45V @ 15V, 15A，有助于提升系统整体效率。
模块内部集成了NTC热敏电阻，便于实现精确的温度监控与保护。其工作结温范围覆盖-40°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。这款模块将功率半导体、驱动兼容接口及热管理功能整合于一体，为设计紧凑、高效的中小功率电机驱动和变频应用提供了优化的解决方案。
- 型号:A1C15S12M3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 1
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 15A ACEPACK 1
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器，带制动器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
- 功率 - 最大值:142.8 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，15A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):985 pF @ 25 V
- 输入:三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 1
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