STGP15M65DF2技术参数详情：
STGP15M65DF2是ST意法半导体生产的一款采用沟槽型场截止技术的单管IGBT。该器件核心优势在于其650V的集射极击穿电压与30A的连续电流处理能力，为中等功率应用提供了坚实的电压和电流基础。
其技术亮点在于优异的效率表现，在15A电流下导通压降仅约2V，同时具备较低的开关能量（90J开，450J关）和快速的开关速度，这共同保障了其在频繁开关状态下的低功耗运行。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和标准的TO-220-3通孔封装，使其成为工业电机驱动、UPS及光伏逆变器等高效能、高可靠性功率转换设计的理想选择。
- 型号:STGP15M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:136 W
- 开关能量:90J（导通），450J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:45 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/93ns
- 测试条件:400V，15A，12 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):142 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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