A1P35S12M3技术参数详情：
A1P35S12M3是ST意法半导体基于ACEPACK 1封装技术开发的一款三相IGBT功率模块。该模块集成了三个采用沟槽型场截止技术的IGBT单元，构成一个完整的1200V/35A三相反相器桥臂，最大处理功率可达250W。
其技术亮点包括低至2.45V的饱和压降，能有效降低导通损耗；模块内部集成NTC热敏电阻，便于实现精确的温度监控与保护。宽泛的工作结温范围（-40°C ~ 150°C）和紧凑的模块化设计，使其成为追求高功率密度与高可靠性的中小功率变频和逆变应用的优选解决方案。
- 型号:A1P35S12M3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 1
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 35A ACEPACK 1
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
- 功率 - 最大值:250 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，35A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.154 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 1
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