A2P75S12M3技术参数详情：
A2P75S12M3是ST意法半导体生产的一款采用ACEPACK2封装的三相IGBT功率模块。该模块集成了三个采用先进沟槽型场截止技术的1200V/75A IGBT单元，构成一个完整的三相反相器桥臂，最大功耗为454.5W。其核心优势在于较低的导通压降（2.3V @15V, 75A）和优化的开关特性，有助于提升系统能效。
模块集成了用于温度监控的NTC热敏电阻，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，增强了系统在恶劣环境下的可靠性。其标准输入电平和底座安装方式，简化了驱动电路与散热设计，使其成为工业变频、伺服驱动、UPS等中小功率变频应用的高效、紧凑解决方案。
- 型号:A2P75S12M3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 75A ACEPACK 2
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:75 A
- 功率 - 最大值:454.5 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，75A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.7 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 2
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