STL100N10F7

STL100N10F7是意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET VII产品系列。该器件额定参数为100V漏源电压与80A连续漏极电流，核心优势在于其极低的导通电阻（R_DS(on)最大值7.3mΩ @10V）与优化的栅极电荷（Q_G最大值80nC @10V），这一组合有效降低了传导与开关损耗。

其紧凑的5x6表面贴装封装提供了出色的热性能，支持高达175°C的结温工作范围，适用于高功率密度设计。这些特性使其成为高效率DC-DC转换、电机驱动和电源管理应用的理想解决方案，能够显著提升系统的能效与可靠性。

• 型号:STL100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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