BD679技术参数详情：
BD679是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-126-3通孔封装。其核心卖点在于极高的电流放大能力，在1.5A/3V条件下直流电流增益(hFE)最小值达750，能够以极小的基极电流驱动高达4A的集电极负载，极大简化了驱动电路设计。
该器件具备80V的集射极击穿电压和40W的最大功耗，提供了良好的电压裕量和功率处理能力。其较低的饱和压降有助于提升效率，150°C的最高结温确保了高温环境下的可靠性。这些特性使其成为电机驱动、电源调整、音频放大及各类负载开关驱动应用的理想选择。
- 型号:BD679
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-32-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:750 @ 1.5A，3V
- 功率 - 最大值:40 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装:SOT-32-3
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