STP20N90K5技术参数详情：
STP20N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh K5技术制造，封装形式为TO-220。该器件核心规格为900V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键电气特性包括低至250毫欧的导通电阻（最大值 @ 10A, 10V）以及仅40nC的栅极电荷（最大值 @ 10V），这使其在导通损耗和开关损耗方面均有优异表现，有助于提升整体电源转换效率。器件支持高达250W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP20N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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