BD679A技术参数详情：
BD679A是ST意法半导体推出的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-126通孔封装。该器件集成了高击穿电压（80V）与大电流处理能力（4A），最大功耗达40W，专为中高功率应用设计。
其核心优势在于极高的电流增益，最小hFE为750（@2A， 3V），能以微小输入电流有效控制大负载，显著简化驱动电路。同时，较低的饱和压降与截止电流优化了开关效率与功耗表现，结温高达150°C，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。
- 型号:BD679A
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-32-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.8V @ 40mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:750 @ 2A，3V
- 功率 - 最大值:40 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装:SOT-32-3
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