STK30N2LLH5

STK30N2LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V系列。该器件采用PolarPak封装，核心优势在于其极低的导通电阻与优异的开关特性平衡，在10V栅极驱动电压、15A电流条件下，其导通电阻典型值仅为2.9毫欧，同时栅极电荷低至18nC，这共同确保了在高频开关应用中实现高效率与低损耗。

该MOSFET的额定参数为25V漏源电压和30A连续漏极电流，具备强大的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，适用于对功率密度和热管理有严格要求的设计。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换器和电机驱动等应用的理想选择。

• 型号:STK30N2LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
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