BUZ10技术参数详情：
BUZ10是ST意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件设计用于提供高效的功率开关与控制，其核心优势在于50V的漏源电压和高达23A的连续漏极电流处理能力，能够满足中等功率应用的需求。
其技术亮点包括在10V栅极驱动下仅70毫欧的低导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，器件支持±20V的宽栅极电压范围，并具备175°C的最大结温工作能力，确保了在多种工况下的可靠性与稳定性。
- 型号:BUZ10
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 50V 23A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:50 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 14A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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