STW15N80K5技术参数详情：
STW15N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势主要体现在极低的导通损耗和开关损耗上。在10V驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为375毫欧，同时最大栅极电荷（Qg）低至32nC。这种组合确保了在高频开关电源拓扑中既能实现高效的功率传输，又能保持快速的开关速度，从而全面提升系统效率。其190W的功率耗散能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，进一步保障了其在 demanding 应用环境下的长期稳定运行。
- 型号:STW15N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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