DSM2180F3-90T6技术参数详情：
DSM2180F3-90T6是ST意法半导体生产的一款1Mb容量并行闪存芯片，采用52-QFP表面贴装封装。其核心特性包括128K x 8位的存储结构、90ns的快速访问时间以及4.5V~5.5V的宽工作电压范围，确保了与5V逻辑系统的良好兼容性和高效的数据传输性能。
该器件设计用于工业级温度环境（-40°C至85°C），具备非易失性数据存储能力，适合需要可靠固件或参数存储的嵌入式应用。其标准的并行接口简化了与微处理器的连接，是传统工业控制、通信设备及汽车电子等领域中经典的存储器解决方案。
- 型号:DSM2180F3-90T6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:52-PQFP（10x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1MBIT PARALLEL 52PQFP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存
- 存储容量:1Mb
- 存储器组织:128K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:90 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:52-QFP
- 供应商器件封装:52-PQFP（10x10）
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