E-L6221AD技术参数详情：
E-L6221AD是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列，采用20-SOIC表面贴装封装。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对，每个通道可提供高达1.8A的集电极输出电流和50V的集电极-发射极击穿电压，适用于驱动继电器、螺线管、步进电机绕组及LED阵列等中功率负载。
其核心优势在于高度集成与内置保护。每个达林顿通道均集成了续流二极管，为驱动感性负载提供了必要的续流通路，从而简化了外部电路设计，增强了系统的可靠性。器件工作结温范围为-40°C至150°C，满足工业级应用的环境要求。尽管目前已停产，但其参数组合在遗留的多通道开关驱动设计中仍具代表性。
- 型号:E-L6221AD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:20-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20-SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:4 NPN 达林顿（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.8A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.6V @ 1.8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
- 功率 - 最大值:1W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装:20-SO
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