STK22N6F3技术参数详情：
STK22N6F3是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用独特的PolarPak封装，显著优化了散热路径，使其在表面贴装的紧凑外形下，能够支持高达22A的连续漏极电流（Tc）和60V的漏源电压，同时保持极低的导通电阻（典型值6mΩ @ 11A, 10V），有效降低了功率损耗。
其电气参数针对高效开关应用进行了优化，最大栅极电荷（Qg）仅为41nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在恶劣环境下的稳定运行。这款MOSFET适用于空间受限且要求高电流处理能力与高效散热的场景，如高密度DC-DC转换器和电机驱动电路。
- 型号:STK22N6F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PolarPak
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 22A POLARPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PolarPak
- 封装/外壳:PolarPak
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