E-L6571BD013TR技术参数详情：
E-L6571BD013TR是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，集成了两个同步驱动通道，其高压侧支持高达600V的自举电压，适用于高压开关应用。
其核心特性包括10V至16.6V的宽供电范围、270mA/170mA（拉/灌）的峰值输出电流以及-40°C至150°C的宽工作结温范围。内置的RC输入电路增强了抗干扰能力。这些参数共同确保了其在电机驱动、电源转换等功率系统中实现高效、可靠的开关控制。
- 型号:E-L6571BD013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
- 输入类型:RC 输入电路
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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