ESDA6V1M6技术参数详情：
ESDA6V1M6是ST意法半导体推出的一款采用6-UFDFN封装的TVS二极管阵列，隶属于ESDA, TRANSIL产品系列。该器件集成了四个单向齐纳二极管通道，专为多线路的瞬态电压抑制设计。
其核心参数包括3V的反向断态电压、6.1V的最小击穿电压以及100W的峰值脉冲功率，能够有效吸收并抑制ESD等瞬态过压能量。同时，其在1MHz频率下仅70pF的低电容特性，使其成为保护高速数据接口（如USB、HDMI）的理想选择，可在提供强固保护的同时最大限度地减少信号完整性劣化。
- 型号:ESDA6V1M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:6-QFN（1.45x1.0）
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 3VWM 6UQFN
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:4
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:3V
- 电压 - 击穿（最小值）:6.1V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
- 功率 - 峰值脉冲:100W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:70pF @ 1MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-UFDFN
- 供应商器件封装:6-QFN（1.45x1.0）
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