STGW40H65DFB技术参数详情：
STGW40H65DFB是ST意法半导体生产的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT单管，采用TO-247封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在40A电流下最大饱和压降仅2V，同时具备较低的开关能量（开启498J，关断363J）与快速的开关速度，有助于提升系统整体能效并降低散热需求。
该器件设计鲁棒，最大功耗283W，脉冲电流能力达160A，且结温工作范围宽至175°C，确保了在高应力应用中的可靠性。其标准输入特性和适中的栅极电荷（210nC）简化了驱动电路设计。这些特性使其成为工业电机驱动、UPS、太阳能逆变器等中高功率密度应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGW40H65DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:498J（导通），363J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
- 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):62 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
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