ESDA8V2-1MX2技术参数详情:
ESDA8V2-1MX2是意法半导体推出的一款单向瞬态电压抑制二极管,采用微型2-UFDFN封装,专为保护敏感电子线路免受静电放电及其他瞬态电压事件损害而设计。
该器件提供5V的反向断态电压,最小击穿电压为8.2V。其核心优势在于出色的箝位性能,在承受27A的大电流冲击时,能将电压有效限制在18.5V以下,同时具备350pF的典型电容值,兼顾了保护效能与信号完整性。500W的峰值脉冲功率和-40°C至125°C的宽工作温度范围,确保了其在各种应用环境下的可靠性与鲁棒性。
- 型号:ESDA8V2-1MX2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:2-QFN(1.45x1.0)
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 5VWM 18.5VC 2UQFN
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态(典型值):5V
- 电压 - 击穿(最小值):8.2V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):18.5V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):27A(8/20s)
- 功率 - 峰值脉冲:500W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:350pF @ 1MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:2-UFDFN
- 供应商器件封装:2-QFN(1.45x1.0)
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