STE139N65M5

STE139N65M5是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其知名的MDmesh产品系列。该器件采用ISOTOP封装，专为高功率应用设计，核心优势在于其650V的高耐压与130A的大电流处理能力的出色结合。

其技术亮点在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动、65A电流条件下，导通电阻典型值低至17毫欧，这直接提升了系统的整体效率。同时，高达672W（Tc）的功率耗散能力和150°C的结温工作范围，确保了其在严苛工况下的可靠性与稳定性，适用于要求高效率和高可靠性的工业级电源与驱动解决方案。

• 型号:STE139N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 65A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:363 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:15600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:672W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• 现在可以订购STE139N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。