ESDALC6V1P3技术参数详情：
ESDALC6V1P3是ST意法半导体推出的一款采用SOT-663封装的瞬态电压抑制（TVS）二极管。该器件基于齐纳原理，集成了两个单向保护通道，为核心卖点在于其精确的3V反向断态电压与6.1V最小击穿电压，能够为低电压工作线路提供精准的过压保护。
其峰值脉冲功率处理能力达到30W，结合-40°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在各类通用应用场景下应对静电放电（ESD）等瞬态事件的可靠性。该器件适用于需要紧凑型ESD防护解决方案的便携式电子设备接口及数据线路。
- 型号:ESDALC6V1P3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-663
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 3VWM SOT663
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:2
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:3V
- 电压 - 击穿（最小值）:6.1V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
- 功率 - 峰值脉冲:30W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-663
- 供应商器件封装:SOT-663
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