ESDARF03-1BF3技术参数详情：
ESDARF03-1BF3是ST意法半导体推出的一款专用于射频天线保护的TVS二极管。该器件采用齐纳技术，提供双向保护通道，其核心优势在于极低的寄生电容（典型值0.6pF @ 1MHz），这使其在保护电路的同时，对高频射频信号的插入损耗和完整性影响微乎其微，非常适合高速无线通信应用。
该器件具有3V的反向断态电压和6V的最小击穿电压，峰值脉冲功率为60W，能够有效钳位ESD等瞬态过压事件。其采用紧凑的4-WFBGA倒装芯片封装，表面贴装，工作温度范围为-30°C至85°C，为智能手机、物联网设备等空间受限的射频前端设计提供了高可靠性的静电防护解决方案。
- 型号:ESDARF03-1BF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:4-覆晶
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 3VWM 4FLIPCHIP
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:-
- 双向通道:1
- 电压 - 反向断态（典型值）:3V
- 电压 - 击穿（最小值）:6V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
- 功率 - 峰值脉冲:60W
- 电源线路保护:无
- 应用:RF 天线
- 不同频率时电容:0.6pF @ 1MHz
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:4-WFBGA，FCBGA
- 供应商器件封装:4-覆晶
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