STP80NF03L-04

STP80NF03L-04是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其极低的导通电阻与强大的电流处理能力，其漏源电压（V_DSS）为30V，在壳温25°C下连续漏极电流（I_D）可达80A。

在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为4.5毫欧（@40A），这极大地降低了导通损耗。同时，其逻辑电平兼容的栅极驱动电压（标准4.5V/10V）和优化的栅极电荷（Q_g）参数，确保了高效的开关性能。这些特性使其成为要求高效率和高功率密度的低压、大电流开关应用的理想选择，例如同步整流和DC-DC功率转换。

• 型号:STP80NF03L-04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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