ESDZV18-1BF4TK技术参数详情：
ESDZV18-1BF4TK是ST意法半导体ESDZ系列中的一款TVS二极管，专为高效静电放电（ESD）保护而设计。该器件采用齐纳技术，提供双向单通道保护，能迅速箝制瞬态过压，其关键参数包括18V最小击穿电压、21.5V典型箝位电压以及处理6A（8/20s）峰值脉冲电流的能力。
器件的核心优势在于其极低的寄生电容（3pF @ 1MHz），这使得它在保护高速数据线路时，能最大限度地减少信号完整性劣化。结合其微型0201表面贴装封装和-55°C至150°C的宽工作温度范围，此TVS二极管非常适合于空间紧凑、对可靠性要求高的便携式消费电子、通信接口及通用低压电路的ESD防护应用。
- 型号:ESDZV18-1BF4TK
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ST0201
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 24VWM 21.5VC ST0201
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:-
- 双向通道:1
- 电压 - 反向断态（典型值）:24V（最大）
- 电压 - 击穿（最小值）:18V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:21.5V（典型值）
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):6A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:140W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:3pF @ 1MHz
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:0201（0603 公制）
- 供应商器件封装:ST0201
- 现在可以订购ESDZV18-1BF4TK，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
