STI24N60M2

STI24N60M2是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其成熟的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了低至190毫欧（@10V， 9A）的导通电阻，显著降低了功率传导损耗。

其电气参数经过优化，栅极电荷（Qg）仅为29nC，有助于实现快速的开关切换并降低开关损耗，提升系统整体效率。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，支持150W的功率耗散能力，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性和鲁棒性。

• 型号:STI24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI24N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。