ESDZV5-1BU2技术参数详情：
ESDZV5-1BU2是ST意法半导体ESDZ系列中的一款超低钳位电压、单线双向TVS保护二极管。该器件采用微型0201封装，专为保护高速数据线与敏感I/O端口而设计，其核心特性是在7A峰值脉冲电流下能将电压箝位在最大值8V，同时保持仅6pF@1MHz的极低寄生电容。
该器件提供双向ESD及瞬态过压保护，反向断态电压最大5.5V，击穿电压最小5.8V，峰值脉冲功率达70W。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在通用及严苛环境下的稳定性和可靠性，是消费电子、通信及工业应用中空间受限且对信号完整性要求高的电路的理想保护方案。
- 型号:ESDZV5-1BU2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:0201
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 5.5VWM 8VC 0201
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:-
- 双向通道:1
- 电压 - 反向断态（典型值）:5.5V（最大）
- 电压 - 击穿（最小值）:5.8V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:8V（典型值）
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):7A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:70W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:6pF @ 1MHz
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:0201（0603 公制）
- 供应商器件封装:0201
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