STF32N65M5

STF32N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）和24A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为119毫欧（@12A），这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗，从而提升整体系统效率。该器件设计工作结温高达150°C，适用于要求高可靠性的工业级功率转换与电机控制场景。

• 型号:STF32N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF32N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。