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GWA75H65DRFB2AG
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-247 长引线
- 技术参数:IGBT
- (专注销售ST意法半导体,承诺原装!现货当天发货!)
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GWA75H65DRFB2AG技术参数详情:
- 型号:GWA75H65DRFB2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):123 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,75A
- 功率 - 最大值:395 W
- 开关能量:12.9mJ(导通),900J(关断)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:253 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:28ns/103ns
- 测试条件:400V,75A,2.2 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):710 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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