STFU8N60DM2

STFU8N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件隶属于先进的MDmesh产品系列，核心特性包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值极低，最大值为295毫欧 @ 6A，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值20nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有助于提升开关电源的工作频率和效率。这些参数共同使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中追求高效率与高可靠性的理想选择。

• 型号:STFU8N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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