IRF520技术参数详情：
IRF520是ST意法半导体STripFET II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心特性包括100V的漏源电压(Vdss)和10A的连续漏极电流(Id)处理能力，在10V栅极驱动下，其导通电阻(Rds(on))低至270毫欧（@7A），能有效降低导通状态下的功率损耗。
其开关性能由22nC的栅极电荷(Qg)和460pF的输入电容(Ciss)所表征，确保了中速开关应用中的效率。器件支持±20V的栅源电压，阈值电压最大为4V，工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗为60W（Tc），具备良好的鲁棒性和环境适应性。这些参数使其成为中等功率开关和线性放大应用的经典选择。
- 型号:IRF520
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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